RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Compara
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
44
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
44
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2324
2374
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link