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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Compara
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Puntuación global
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
56
63
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
1,925.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
63
Velocidad de lectura, GB/s
4,315.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,925.7
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
658
2543
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
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