RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Compara
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
56
En -167% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
1,925.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
21
Velocidad de lectura, GB/s
4,315.2
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,925.7
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
658
3167
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link