RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
66
En -120% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3537
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link