RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
66
En -136% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2690
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link