RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
4065
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link