RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
53
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
53
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2440
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link