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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3221
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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