RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
46
En -31% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3060
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link