RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
73
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
73
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
1736
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link