RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
46
En -84% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2871
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link