RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
46
En -44% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3000
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link