RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3049
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link