RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
15.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3466
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link