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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
46
En -84% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2994
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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