RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
46
En -53% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2877
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link