RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
46
En -12% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
41
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2621
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link