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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
1763
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teclast TLD416G26A30 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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