RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
46
En -24% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
37
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2191
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link