RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Compara
AMD AE34G1601U1 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
67
En -131% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
29
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
2984
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link