RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Compara
AMD AE34G1601U1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
67
En -179% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.3
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
24
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
2256
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link