RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Compara
AMD AE34G1601U1 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
67
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
54
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
2938
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link