RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
73
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
36
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2734
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link