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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
73
En -284% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
19
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
3075
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
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