RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Compara
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
3032
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link