RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Compara
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
73
En 63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
73
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
1843
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link