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AMD R538G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Compara
AMD R538G1601U2S 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
28
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
28
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
3673
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
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