RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Compara
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Puntuación global
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
47
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2323
2601
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link