RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Compara
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Puntuación global
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Puntuación global
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
74
En 64% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
74
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
1616
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link