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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Compara
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
40
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
40
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2278
2965
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Mushkin 992015 (997015) 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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