RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Compara
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
41
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2385
3017
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Transcend Information TS256MLK64V3N 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G13332 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link