RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Compara
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Puntuación global
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
39
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2355
2952
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link