RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Compara
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Puntuación global
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2307
2960
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link