RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Compara
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Puntuación global
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
30
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
20
30
Velocidad de lectura, GB/s
17.0
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3077
3606
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link