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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Compara
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
26
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
20
26
Velocidad de lectura, GB/s
17.0
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3077
3061
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
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Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
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