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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
31
En 39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
31
Velocidad de lectura, GB/s
18.1
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.9
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3040
2447
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8
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Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
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