RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
21
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
21.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.6
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
21
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
17.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
3954
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link