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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO M418039 8GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs INTENSO M418039 8GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
INTENSO M418039 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
20
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
INTENSO M418039 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO M418039 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
20
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
2414
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
INTENSO M418039 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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