Comparación de la memoria RAM Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Puntuación global

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

17 33

En 48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

22.8 18.5

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

15.4 13.8

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 10600

En 2.42 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3391 3341

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns