RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Compara
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Puntuación global
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
38
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1683
3246
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link