RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
42
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
2938
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link