RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
85
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
85
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
1772
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F5-6000J4040F16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link