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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
40
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2209
3014
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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