RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Compara
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
71
En 44% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
71
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2209
1902
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link