RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Compara
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
10.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
30
Velocidad de lectura, GB/s
15.9
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.4
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2847
3389
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link