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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Compara
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
55
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
55
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
16.9
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3465
2701
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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