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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
32
En 9% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2952
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-084.A00LF 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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