RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
62
En -170% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,670.6
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
861
2935
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link