RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
62
71
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
2,378.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
71
Velocidad de lectura, GB/s
4,670.6
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
861
1863
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-2133C10-4GAB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link