RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
2586
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link